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半导体废气处理

一、半导体废气来源

1.光刻‌：使用光刻胶和有机溶剂（如异丙醇、丙酮），挥发产生VOCs和特殊气体。

2.蚀刻‌：用含氟、氯的化学试剂（如HF、HCl），生成酸性气体和腐蚀性成分。

3.化学气相沉积（CVD）‌：反应气体（如SiH4、NH3）未完全反应，排放酸性、碱性及有毒气体。

4.离子注入‌：掺杂气体（如PH3、AsH3）挥发，产生有毒和特殊气体。

5.清洗‌：酸、碱和有机溶剂（如硫酸、氨水、丙酮）挥发，形成酸性、碱性及有机废气。

6.扩散‌：高温下掺杂气体挥发，排放有毒和特殊气体。

7.物理气相沉积（PVD）‌：金属蒸汽（如Al、Cu）和反应气体（如Cl2）挥发，产生金属蒸气和腐蚀性气体。

8.热氧化‌：高温氧化剂（如O2、HCl）反应，生成酸性气体。

二、废气特点

1.成分复杂‌：含酸性、碱性、有机溶剂和有毒气体。

2.浓度波动大‌：不同工艺阶段排放差异显著。

3.危害性高‌：部分废气有腐蚀性、毒性或易燃易爆风险。

三、半导体废气处理工艺

半导体废气处理主要采用‌分类收集、分级处理‌的方法，针对酸性、碱性、有机及特殊气体分别采用湿式洗涤、吸附、燃烧等技术组合，确保高效净化与安全排放。

半导体废气成分复杂，主要源于光刻、蚀刻、清洗等工艺，需根据性质选择针对性方法：

1.酸性废气‌（如HF、HCl）：采用‌湿式洗涤法‌，通过碱性溶液（如氢氧化钠）中和，处理效率可达95%以上。设备推荐耐腐蚀材质的填料塔或喷淋塔。‌

2.碱性废气‌（如NH3）：使用‌酸性溶液洗涤‌（如稀硫酸），有效去除氨气等污染物。‌

3.有机废气‌（如异丙醇、丙酮）：

  1）低浓度大风量：‌沸石转轮浓缩+蓄热式焚烧（RTO）‌，浓缩后高温氧化分解，效率98%。‌

  2）高浓度：‌催化燃烧（CO）‌，在300–800℃下分解有机物，能耗较低。‌

  3）特殊气体‌（如AsH3、PH3）：需‌专用高温燃烧器‌（1100℃以上）彻底分解剧毒成分，防止自燃或泄漏。

四、工艺流程图：

1.洗涤法：

2、沸石转轮+RTO=风机

3、催化燃烧